概念
在一些厂商support的emmc列表上，会有这些数据
SLC，MLC，TLC这三个都是表示闪存的类型，最大的区别就是每个单元能存储的比特数
| 闪存类型 | SLC（single-level-cell) | MLC（multiple) | TLC（triple) 也有Flash厂家叫8LC |
|---|---|---|---|
| 每单元比特数 | 1 | 2 | 3 |
| 可擦写次数 | 约10万次 | 约5千 | 约1千 |
| 读取时间 | 25us | 50us | 75us |
| 编程时间 | 300us | 600us | 900us |
| 擦写时间 | 1500us | 3000us | 4500us |
| 价格 | 最贵 | 中等 | 最便宜 |
| MOSSFET电压变化状态 | 2种（0,1） | 4种（00,01,10,11） | 8种（000,001,010,…,111） |
物理结构
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)基本结构如下，在对一个闪存单元编程的时候，电压加到控制栅极(control gate)上，形成一个电场，让电子穿过硅氧化物栅栏，达到浮动栅极(floating gate)。穿越过程完成后，控制栅极上的电压会立刻降回零，硅氧化物就扮演了一个绝缘层的角色。单元的擦除过程类似，只不过电压加在硅基底(P-well)上。
SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET三种闪存的MOSFET是完全一样的，区别在于如何对单元进行编程。
SLC要么编程，要么不编程，状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特，状态就有四种00、01、10、11，电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特，状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。
物理上差不多的结构储存了更多的信息，所以随之而来存储更多的信息就等于带来了更多不稳定。
怎么查看
目前好像只能是看手册了，但是我看了两份手册也没具体的内容
参考链接
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